單分子磁體是一類(lèi)在單個(gè)分子層面表現(xiàn)出磁體行為的體系，在高密度信息存儲(chǔ)等方面有巨大應(yīng)用潛力，已成為下一代器件材料的有力候選。我們提出了一個(gè)單分子磁體性能的簡(jiǎn)潔判據(jù)，即長(zhǎng)的磁化量子隧穿時(shí)間QTM和高能壘Ueff的共存，并給出了通過(guò)電子結(jié)構(gòu)計(jì)算預(yù)測(cè)相關(guān)參數(shù)的理論方法。在一定條件下，我們還可以預(yù)測(cè)阻塞溫度TB。該方法的計(jì)算成本可以降低至一個(gè)體系只需一次ab initio計(jì)算，易應(yīng)用于大量體系并快速篩選出潛在的目標(biāo)體系。這將有助于減輕后續(xù)采用精度更高但也更為復(fù)雜和耗時(shí)方法進(jìn)行研究的負(fù)擔(dān)?；诰w場(chǎng)模型并結(jié)合微擾理論，我們還提出了一種利用晶體場(chǎng)波函數(shù)組成來(lái)分析體系單分子磁體性能的方法和若干相關(guān)參數(shù)。